Transistor onsemi, 3 Pin PnP, SOT-23, -50 mA, -50 V, Superficie
- Codice RS:
- 184-1003
- Codice costruttore:
- MMBT5087LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 3000 unità*
84,00 €
(IVA esclusa)
102,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 3000 unità in spedizione dal 07 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,028 € | 84,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,025 € | 75,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,023 € | 69,00 € |
| 45000 + | 0,019 € | 57,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 184-1003
- Codice costruttore:
- MMBT5087LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -50mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -50V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -50V | |
| Frequenza transizione massima ft | 20MHz | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 250 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300mW | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 3V | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.11mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -50mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -50V | ||
Frequenza transizione massima ft 20MHz | ||
Polarità transistor PnP | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 250 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300mW | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 3V | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.11mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo transistor bipolare PNP è progettato per applicazioni di amplificatori per impieghi generali ad alto guadagno e a bassa rumorosità. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-23, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.
Bassa rDS(on) garantisce una maggiore efficienza e prolunga la durata della batteria
Il contenitore per montaggio superficiale miniaturizzato SOT-23 consente di risparmiare spazio sulla scheda
Link consigliati
- Transistor onsemi MMBT5087LT1G SOT-23 -50 V, Superficie
- Transistor Digitale onsemi SOT-23 PnP -50 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -120 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -50 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -20 V, Superficie
- Transistor Digitale onsemi MMUN2113LT3G SOT-23 PnP -50 V, Superficie
- Transistor Digitale onsemi MMUN2132LT1G SOT-23 PnP -50 V, Superficie
- Transistor Digitale onsemi MMUN2114LT1G SOT-23 PnP -50 V, Superficie