Transistor onsemi, 4 Pin PnP, SOT-223, -2 A, -60 V, Superficie
- Codice RS:
- 184-1077
- Codice costruttore:
- PZT751T1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 1000 unità*
132,00 €
(IVA esclusa)
161,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 19 aprile 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | 0,132 € | 132,00 € |
| 3000 - 4000 | 0,121 € | 121,00 € |
| 5000 + | 0,11 € | 110,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 184-1077
- Codice costruttore:
- PZT751T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -2A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -80V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 40 | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 800mW | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -2A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -80V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 40 | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 800mW | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Questo transistor bipolare PNP ad alta corrente è progettato per l'uso in applicazioni industriali e di consumo. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-223, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a media potenza.
Il contenitore SOT-223 può essere saldato utilizzando l'onda o il riflusso.
Il contenitore SOT-223 garantisce il montaggio a livello, con conseguente migliore conduzione termica, e consente l'ispezione visiva dei giunti saldati. I conduttori formati assorbono lo stress termico durante la saldatura, eliminando la possibilità di danneggiare la matrice
Il complemento NPN è PZT651T1
Corrente elevata: 2,0 A
Questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR
Link consigliati
- Transistor onsemi PZT751T1G SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor bipolare onsemi SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor onsemi NSV60600MZ4T1G SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor onsemi NSS60600MZ4T1G SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor onsemi NZT660 SOT-223 -60 V, Superficie
- Transistor bipolare onsemi PZT2907AT1G SOT-223 -60 V, Superficie