Transistor onsemi MUN5111T1G, 3 Pin PnP, SOT-323, -100 mA, -50 V, Superficie
- Codice RS:
- 184-1206
- Codice costruttore:
- MUN5111T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1206
- Codice costruttore:
- MUN5111T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -100mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -50V | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 35 | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Serie | MUN5111T1G | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -100mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 35 | ||
Polarità transistor PnP | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Serie MUN5111T1G | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR
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