Transistor onsemi MUN5233DW1T1G, 6 Pin NPN, US, 100 mA, 50 V, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
184-1259
Codice costruttore:
MUN5233DW1T1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor

Corrente CC massima collettore Idc

100mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

50V

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Duale

Tensione massima base del collettore VCBO

50V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

80

Polarità transistor

NPN

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Numero pin

6

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

MUN5233DW1T1G

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

1.35mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.

Semplifica la progettazione dei circuiti

Riduce lo spazio della scheda

Riduce il conteggio dei componenti

Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR

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