Transistor onsemi MUN5233DW1T1G, 6 Pin NPN, US, 100 mA, 50 V, Superficie
- Codice RS:
- 184-1259
- Codice costruttore:
- MUN5233DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1259
- Codice costruttore:
- MUN5233DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 100mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Serie | MUN5233DW1T1G | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 100mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Serie MUN5233DW1T1G | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR