Transistor NPN onsemi, 3 Pin, TO-218, 10 A, 100 V, , Montaggio su foro
- Codice RS:
- 184-4189
- Codice costruttore:
- BDV65BG
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 184-4189
- Codice costruttore:
- BDV65BG
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Il transistore bipolare di potenza 10 A, 100 V NPN è destinato all'uso come dispositivi di uscita in applicazioni di amplificatori per impieghi generali complementari. BDV65B (NPN) e BDV64B (PNP) sono dispositivi complementari.
Alto guadagno in corrente continua HFE = 1000 (min.) a 5 cc
Costruzione monolitica con resistenze shunt emettitore di base incorporate
Questi dispositivi sono disponibili in pacchetti privi di Pb. Le specifiche qui riportate si applicano sia ai dispositivi standard che a quelli privi di Pb
Costruzione monolitica con resistenze shunt emettitore di base incorporate
Questi dispositivi sono disponibili in pacchetti privi di Pb. Le specifiche qui riportate si applicano sia ai dispositivi standard che a quelli privi di Pb
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo transistor | NPN |
| Corrente c.c. massima collettore | 10 A |
| Tensione massima collettore emitter | 100 V |
| Tipo di package | TO-218 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima base del collettore | 100 V c.c. |
| Tensione massima base emitter | 5 V c.c. |
| Numero pin | 3 |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Dimensioni | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
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