Transistor onsemi 2N5192G, 3 Pin NPN, TO-225, 4 A, 80 V dc, Foro passante
- Codice RS:
- 184-4644
- Codice costruttore:
- 2N5192G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-4644
- Codice costruttore:
- 2N5192G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 4A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 80V cc | |
| Tipo di package | TO-225 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 80V cc | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V cc | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 7 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Frequenza transizione massima ft | 1MHz | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | 2N5192 | |
| Altezza | 27.73mm | |
| Lunghezza | 7.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 4A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 80V cc | ||
Tipo di package TO-225 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 80V cc | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V cc | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 7 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Frequenza transizione massima ft 1MHz | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie 2N5192 | ||
Altezza 27.73mm | ||
Lunghezza 7.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor NPN bipolari da 4 A e 80 V sono progettati per l'uso in amplificatori di potenza e circuiti di commutazione. Questo transistor ha eccellenti limiti di area di sicurezza ed è complementare a PNP 2N5194, 2N5195
Questi dispositivi sono privi di piombo
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