Transistor onsemi MJB44H11G, 4 Pin NPN, TO-263, 20 A, 80 V dc, Superficie
- Codice RS:
- 184-4959
- Codice costruttore:
- MJB44H11G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
9,18 €
(IVA esclusa)
11,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 110 unità in spedizione dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,918 € | 9,18 € |
| 100 - 240 | 0,685 € | 6,85 € |
| 250 - 490 | 0,677 € | 6,77 € |
| 500 - 990 | 0,58 € | 5,80 € |
| 1000 + | 0,547 € | 5,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 184-4959
- Codice costruttore:
- MJB44H11G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 20A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 80V cc | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 60 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V cc | |
| Frequenza transizione massima ft | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 4 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 11.05mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 20A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 80V cc | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 60 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V cc | ||
Frequenza transizione massima ft 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 4 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 11.05mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor di potenza bipolare PNP è progettato per l'amplificazione e la commutazione di potenza per impieghi generali come le fasi di uscita o driver in applicazioni come regolatori di commutazione, convertitori e amplificatori di potenza. I modelli MJB44H11 (NPN) e MJB45H11 (PNP) sono dispositivi complementari.
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore - VCE(sat) = 1,0 V (Max) a 8,0 A
Velocità di commutazione rapide
Le coppie complementari semplificano i progetti
Prefisso NJV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, compatibile con PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR
Link consigliati
- Transistor onsemi TO-263 80 V dc, Superficie
- Transistor onsemi TO-263 100 V dc, Superficie
- Transistor onsemi NJVMJB41CT4G TO-263 100 V dc, Superficie
- Transistor onsemi MJB41CG TO-263 100 V dc, Superficie
- Transistor onsemi TO-252 80 V dc, Superficie
- Transistor onsemi NJVMJD44H11G TO-252 80 V dc, Superficie
- Transistor onsemi TO-220 80 V dc, Foro passante
- Transistor onsemi TO-220 80 V dc, Foro passante
