Transistor onsemi, 3 Pin NPN, SOT-23, 800 mA, 45 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-7138
- Codice costruttore:
- BCW66GLT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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| 99000 + | 0,017 € | 51,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-7138
- Codice costruttore:
- BCW66GLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 800mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 45V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 75V cc | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 50 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V cc | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Larghezza | 2.64mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 800mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 45V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 75V cc | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Polarità transistor NPN | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 50 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V cc | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Larghezza 2.64mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor bipolare NPN è progettato per l'uso in applicazioni lineari e di commutazione. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-23, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.
Prefisso S per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
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