Transistor Digitale onsemi TSOT-23 Canale N, 6 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-7149
- Codice costruttore:
- FDC8601
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1614,00 €
(IVA esclusa)
1968,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,538 € | 1.614,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-7149
- Codice costruttore:
- FDC8601
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | TSOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package TSOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando un Advanced Power Trench® processo ottimizzato per rDS(on), prestazioni di commutazione e robustezza.
Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2,7 A.
Max rDS(on) = 176 mΩat VGS = 6 V, ID = 2,1 A.
Tecnologia trench ad alte prestazioni per rDS(on) estremamente bassi
Elevata potenza e capacità di gestione della corrente in un package per montaggio superficiale ampiamente utilizzato
Elevata velocità di commutazione
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
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