Transistor Digitale onsemi, 6 Pin, SC-70, Montaggio superficiale

Questo MOSFET a canale P da 2,5 V specificato è prodotto in una versione con gate resistente di un Advanced PowerTrench processo. È stato ottimizzato per applicazioni di gestione dell'alimentazione per un'ampia gamma di tensioni di gate drive (2,5V - 12V).

-1,5 A, -20 V.
RDS(ON) = 0,145Ω a VGS = -4,5 V.
RDS(ON) = 0,210Ω a VGS = -2,5 V.
Bassa carica di gate
Tecnologia trench ad alte prestazioni per RDS(ON) estremamente basso
Contenitore compatto SC70-6 per montaggio superficiale
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.