Transistor Digitale onsemi, 8 Pin, MLP 3.3 x 3.3, Montaggio superficiale

Questo MOSFET a canale P è prodotto utilizzando una Advanced PowerTrench® technology. Questo processo ad altissima densità è particolarmente studiato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo e l'ottimizzazione per prestazioni di commutazione superiori.

Max rDS(on) = 307 mΩ a VGS = -10 V, ID = -2 A.
Max rDS(on) = 356 mΩ a VGS = -6 V, ID = -1,8 A.
Tecnologia al silicio P-Channel a bassa tensione ottimizzata per Qg bassa
Ottimizzato per applicazioni di commutazione rapida e per applicazioni di commutazione del carico
Applications
Industriale
Portatile e wireless