Transistor Digitale onsemi FDS8958A SOIC, 8 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-7990P
- Codice costruttore:
- FDS8958A
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-7990P
- Codice costruttore:
- FDS8958A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Numero pin | 8 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Altezza | 1.58mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Numero pin 8 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie PowerTrench | ||
Altezza 1.58mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questi transistor a doppio effetto campo di potenza in modalità di potenziamento a canale N e P sono prodotti utilizzando un processo PowerTrench avanzato appositamente progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori. Questi dispositivi sono ideali per le applicazioni a batteria e a bassa tensione in cui sono richieste basse perdite di potenza in linea e una commutazione rapida.
Q1: canale N
7,0 A, 30 V
RDS(ON) = 28 mΩ a VGS = 10 V
RDS(ON) = 40 mΩ a VGS = 4,5 V
Q2: canale P
-5 A, -30 V
RDS(ON) = 52 mΩ a VGS = -10 V
RDS(ON) = 80 mΩ a VGS = -4,5 V
Velocità di commutazione rapida
Elevata potenza e capacità di movimentazione in un contenitore per montaggio superficiale ampiamente utilizzato
Applicazioni
Questo prodotto è ad uso generale e adatto per molte applicazioni diverse.