Transistor Digitale onsemi FDA59N30 TO-3P Canale N, 3 Pin, Foro passante
- Codice RS:
- 186-8132
- Codice costruttore:
- FDA59N30
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8132
- Codice costruttore:
- FDA59N30
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | TO-3P | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 18.9mm | |
| Lunghezza | 16.2mm | |
| Serie | UniFETTM | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package TO-3P | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 18.9mm | ||
Lunghezza 16.2mm | ||
Serie UniFETTM | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET UniFETTM è una famiglia di MOSFET ad alta tensione basata sulla striscia planare e sulla tecnologia DMOS. Questo MOSFET è realizzato su misura per ridurre la resistenza di stato e per fornire migliori prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia da valanga. Questa famiglia di dispositivi è adatta per applicazioni di convertitore di potenza a commutazione, quali la correzione del fattore di potenza (PFC), l'alimentazione TV a schermo piatto (FPD), ATX e alimentatori elettronici a lampada.
RDS(on) = 56 mΩ ( Max.)@ VGS = 10 V, ID = 29.5A.
Bassa carica di gate (tip. 77nC)
Basso CRS (Typ. 80pF)
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.