Transistor Digitale onsemi FDMC8462 PQFN Canale N, 8 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-8202P
- Codice costruttore:
- FDMC8462
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 186-8202P
- Codice costruttore:
- FDMC8462
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 41W | |
| Polarità transistor | Canale N | |
| Numero pin | 8 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | FDMC8462 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 41W | ||
Polarità transistor Canale N | ||
Numero pin 8 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie FDMC8462 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.05mm | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando un processo Advanced Power Trench® che è stato appositamente adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo e mantenere prestazioni di commutazione superiori.
Max rDS(on) = 5,8mΩ a VGS = 10V, ID = 13,5A
Max rDS(on) = 8,0mΩ a VGS = 4,5V, ID = 11,8A
Basso profilo - 1mm max in potenza 33
Applications
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
