Transistor Digitale onsemi Canale P, 8 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 186-8211P
- Codice costruttore:
- FDMC86262P
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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- Codice RS:
- 186-8211P
- Codice costruttore:
- FDMC86262P
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Polarità transistor | Canale P | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 8 | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Altezza | 0.72mm | |
| Serie | PowerTrench | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Polarità transistor Canale P | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 8 | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Altezza 0.72mm | ||
Serie PowerTrench | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Questo MOSFET a canale P è prodotto utilizzando una Advanced PowerTrench® technology. Questo processo ad altissima densità è particolarmente studiato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo e l'ottimizzazione per prestazioni di commutazione superiori.
Max rDS(on) = 307 mΩ a VGS = -10 V, ID = -2 A.
Max rDS(on) = 356 mΩ a VGS = -6 V, ID = -1,8 A.
Tecnologia al silicio P-Channel a bassa tensione ottimizzata per Qg bassa
Ottimizzato per applicazioni di commutazione rapida e per applicazioni di commutazione del carico
Applications
Industriale
Portatile e wireless