Transistor Digitale onsemi US NPN, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 186-8437P
- Codice costruttore:
- MUN5212DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8437P
- Codice costruttore:
- MUN5212DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | US | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 385mW | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 250mV | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 60 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package US | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 385mW | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 250mV | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 60 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Prefisso NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo univoci, in grado di PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR