Transistor Digitale onsemi WDFN NPN, 3 Pin, 20 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-8523P
- Codice costruttore:
- NSS20501UW3T2G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8523P
- Codice costruttore:
- NSS20501UW3T2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 20V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V cc | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 250 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Altezza | 800μm | |
| Larghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 20V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V cc | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 250 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Lunghezza 2mm | ||
Altezza 800μm | ||
Larghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor bipolari a basso VCE(sat) sono dispositivi miniaturizzati a montaggio superficiale con tensione di saturazione VCE(sat) ultrabassa e capacità di guadagno di corrente elevata. Questi sono progettati per l'uso in applicazioni di commutazione ad alta velocità a bassa tensione in cui è importante un controllo energetico efficiente a prezzi accessibili.
Corrente elevata, VCE (sat) basso, robusto ESD, guadagno di corrente elevato, frequenza di spegnimento elevata, contenitore a profilo basso, guadagno lineare (Beta)
Vantaggi
Efficienza del circuito migliorata, tempo di carica della batteria ridotto, numero di componenti ridotto, commutazione ad alta frequenza, prodotto portatile più piccolo, nessuna distorsione
Applicazioni
Commutazione del carico, carica della batteria, transistor di passaggio esterno, convertitore c.c./c.c., driver complementare, regolazione di prolunga corrente e bassa caduta, azionamento lampada fluorescente a catodo, driver periferico - LED, motori, relè