Transistor onsemi BC858CLT1G, 3 Pin PnP, SOT-23, -200 mA, -30 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-8591
- Codice costruttore:
- BC858CLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità, in una confezione da 100*
4,50 €
(IVA esclusa)
5,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1100 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,045 € | 4,50 € |
| 500 - 900 | 0,039 € | 3,90 € |
| 1000 + | 0,034 € | 3,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-8591
- Codice costruttore:
- BC858CLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -200mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -30V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -30V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 125 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -30V | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Serie | BC856ALT1G | |
| Larghezza | 2.64mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -200mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -30V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -30V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 125 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -30V | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Serie BC856ALT1G | ||
Larghezza 2.64mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor bipolare PNP è progettato per l'uso in applicazioni lineari e di commutazione. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-23, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.
Sono disponibili contenitori senza piombo
Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
Link consigliati
- Transistor onsemi SOT-23 -30 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -40 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -40 V, Superficie
- Transistor onsemi MMBT3906LT1G SOT-23 -40 V, Superficie
- Transistor onsemi FMB3906 SOT-23 -40 V, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -40 V cc, Superficie
- Transistor onsemi SOT-23 -30 V, Superficie
- Transistor Digitale onsemi SOT-23 PnP -30 V, Superficie