Transistor Digitale ON Semiconductor, 8 Pin, PQFN, Montaggio superficiale

Questo dispositivo include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore PQFN doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento dei convertitori buck sincroni. Il MOSFET di controllo (Q1) e la sincronizzazione SyncFET (Q2) sono stati progettati per fornire un'efficienza di potenza ottimale.

D1: Canale N.
Max rDS(on) = 5,0 mΩ a VGS = 10 V, ID = 17,5 A.
Max rDS(on) = 5,7 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 16 A.
D2: Canale N.
Max rDS(on) = 1,8 mΩ a VGS = 10 V, ID = 30 A.
Max rDS(on) = 2,2 mΩ a VGS = 4,5 V, ID = 27 A.
L'imballaggio a bassa induttanza riduce i tempi di salita/discesa, con conseguenti minori perdite di commutazione
L'integrazione MOSFET consente un layout ottimale per un'induttanza del circuito inferiore e una suoneria ridotta del nodo dell'interruttore
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