Transistor Digitale onsemi MUN5216DW1T1G US NPN, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 186-8709P
- Codice costruttore:
- MUN5216DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-8709P
- Codice costruttore:
- MUN5216DW1T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | US | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 160 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 385mW | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 0.25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Larghezza | 2.2mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package US | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 160 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 385mW | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 0.25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Larghezza 2.2mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
Questi dispositivi sono senza Pb, senza alogeni/senza BFR