Transistor Digitale onsemi PnP, 3 Pin, -300 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-8816P
- Codice costruttore:
- MSB92ASWT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 186-8816P
- Codice costruttore:
- MSB92ASWT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -300V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -300V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 120 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V cc | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -300V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -300V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 120 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V cc | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Polarità transistor PnP | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo transistor bipolare PNP ad alta tensione è progettato per applicazioni di amplificatori per impieghi generali. Questo dispositivo è alloggiato nel contenitore SC-70/SOT-323, progettato per applicazioni a montaggio superficiale a bassa potenza.
È disponibile un contenitore senza piombo