Transistor Digitale onsemi NSBC114EDXV6T1G SOT-563 NPN, 6 Pin, 50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 186-8954P
- Codice costruttore:
- NSBC114EDXV6T1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 225 | 0,126 € |
| 250 - 475 | 0,11 € |
| 500 - 975 | 0,096 € |
| 1000 + | 0,087 € |
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- Codice RS:
- 186-8954P
- Codice costruttore:
- NSBC114EDXV6T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 35 | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 0.25V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 35 | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 0.25V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione della resistenza esterna. Il transistor a resistenza di polarizzazione (BRT) contiene un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica composta da due resistenze, una resistenza di base seriale e una resistenza di base-emettitore. Il BRT elimina questi singoli componenti integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio della scheda.
Semplifica la progettazione dei circuiti
Riduce lo spazio della scheda
Riduce il conteggio dei componenti
Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
Questi dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/senza BFR