Transistor onsemi BC847BPDW1T3G, 6 Pin NPN + PNP, US, 200 mA, 45 V, Superficie
- Codice RS:
- 186-9370
- Codice costruttore:
- BC847BPDW1T3G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 50 unità*
8,30 €
(IVA esclusa)
10,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 9950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,166 € | 8,30 € |
| 500 - 950 | 0,143 € | 7,15 € |
| 1000 - 2450 | 0,124 € | 6,20 € |
| 2500 - 4950 | 0,109 € | 5,45 € |
| 5000 + | 0,099 € | 4,95 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 186-9370
- Codice costruttore:
- BC847BPDW1T3G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 200mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 45V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 200 | |
| Polarità transistor | NPN + PNP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 380mW | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | BC847BPDW1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 200mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 45V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 200 | ||
Polarità transistor NPN + PNP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 380mW | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie BC847BPDW1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il doppio transistor bipolare NPN PNP è progettato per applicazioni di amplificatori per impieghi generali. È alloggiata nel contenitore SOT-363/SC-88, progettato per applicazioni di montaggio superficiale a bassa potenza.
È disponibile un contenitore senza piombo
Prefisso SS e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo unici, in grado di PPAP
Link consigliati
- Transistor onsemi US 45 V, Superficie
- Transistor onsemi BC847BPDW1T2G US 45 V, Superficie
- Transistor onsemi US 45 V, Superficie
- Transistor onsemi BC847BPDW1T1G US 45 V, Superficie
- Transistor onsemi US 30 V, Superficie
- Transistor onsemi BC848CPDW1T1G US 30 V, Superficie
- Transistor onsemi US 45 V, Superficie
- Transistor bipolare onsemi US 45 V, Superficie