Transistor bipolare onsemi, 3 Pin NPN, TO-247, 100 A, 650 V, Foro passante
- Codice RS:
- 195-2574P
- Codice costruttore:
- AFGHL50T65SQDC
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 195-2574P
- Codice costruttore:
- AFGHL50T65SQDC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 100A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Frequenza transizione massima ft | 1MHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 238W | |
| Minima temperatura operativa | 175°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Serie | AFGHL50T65SQDC | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc 100A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Polarità transistor NPN | ||
Frequenza transizione massima ft 1MHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 238W | ||
Minima temperatura operativa 175°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Numero pin 3 | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Serie AFGHL50T65SQDC | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Utilizzando la nuova tecnologia field stop IGBT e SiC SBD, LA nuova serie DI IGBT ibridi DI ON Semiconductor offre le prestazioni ottimali per applicazioni di commutazione difficili. Il dispositivo co-confeziona un IGBT a base di silicio con un diodo a barriera Schottky SiC, il che si traduce in un eccellente compromesso tra le prestazioni inferiori delle soluzioni a base di silicio e il costo più elevato delle soluzioni interamente a base di SiC.
Copacked con diodo a barriera schottky SiC
Perdita di recupero inverso ultra bassa
Temperatura di giunzione massima: TJ =175 °C
Maggiore affidabilità
Perdite di conduzione e commutazione molto basse
Coefficiente di temperatura positivo
Distribuzione dei parametri rigida
Applications
Automobilistico
Settore industriale, inverter
Convertitore c.c.-c.c.
Pfc, Polo Totem Bridgeless
Hard Switching