Transistor ROHM, 6 Pin NPN, SOT-457, 150 mA, 50 V, Superficie
- Codice RS:
- 215-9758P
- Codice costruttore:
- IMX1T110
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 215-9758P
- Codice costruttore:
- IMX1T110
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 150mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 50V | |
| Tipo di package | SOT-457 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 60V | |
| Frequenza transizione massima ft | 180MHz | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 120 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 7V | |
| Minima temperatura operativa | 0°C | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Numero pin | 6 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1.3mm | |
| Serie | IMX1 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 150mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 50V | ||
Tipo di package SOT-457 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 60V | ||
Frequenza transizione massima ft 180MHz | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 120 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 7V | ||
Minima temperatura operativa 0°C | ||
Polarità transistor NPN | ||
Numero pin 6 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1.3mm | ||
Serie IMX1 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor per impieghi generali Rohm ha una tensione nominale di 50 V. Viene utilizzato principalmente in piccoli amplificatori di segnale per impieghi generali. L'elemento a transistor è indipendente.
Il costo di montaggio e l'area possono essere dimezzati