Transistor Renesas Electronics HFA3096BZ, 16 Pin NPN + PNP, SOIC, 65 mA, 8 V, Superficie
- Codice RS:
- 235-5230P
- Codice costruttore:
- HFA3096BZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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- Codice RS:
- 235-5230P
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- HFA3096BZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 65mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 8V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Polarità transistor | NPN + PNP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Numero pin | 16 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Serie | HFA3096 | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 65mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 8V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Polarità transistor NPN + PNP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Numero pin 16 | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Serie HFA3096 | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Renesas Electronics HFA3096 è un array di transistor a frequenza ultra alta fabbricato partendo dal processo bipolare UHF-1 complementare di Renesas. Il modello HFA3096 è una combinazione NPN-PNP. A ciascuno dei terminali è previsto l'accesso per i singoli transistori per la massima flessibilità di applicazione. La struttura monolitica di questi array di transistor fornisce un adattamento elettrico e termico ravvicinato dei cinque transistor
Transistor NPN (FT) 8GHz
Il guadagno di corrente NPN (hFE) è 130
La tensione iniziale NPN (VA) è 50V
Il transistor PNP (ft) è 5,5 GHz
Il guadagno di corrente PNP (hFE) è 60
La tensione iniziale PNP (VA) è 20V
Il valore del rumore (50Ω) a 1,0 GHz è 3,5 dB
Perdite dal collettore al collettore <1pA
Isolamento completo tra i transistor