Transistor Digitale ROHM EMB52T2R SOT-563 PNP + PNP, 6 Pin, -50 V 100 mA, Superficie
- Codice RS:
- 237-4307
- Codice costruttore:
- EMB52T2R
- Costruttore:
- ROHM
Prezzo per 1 bobina da 8000 unità*
432,00 €
(IVA esclusa)
528,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 8000 + | 0,054 € | 432,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 237-4307
- Codice costruttore:
- EMB52T2R
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Transistor Digitale | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -50V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 50V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 80 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150mW | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 100mA | |
| Polarità transistor | PNP + PNP | |
| Numero pin | 6 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | EMB52 | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Altezza | 0.55mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Transistor Digitale | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -50V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 50V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 80 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150mW | ||
Corrente massima continua collettore Ic 100mA | ||
Polarità transistor PNP + PNP | ||
Numero pin 6 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie EMB52 | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Altezza 0.55mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il doppio transistor digitale PNP/PNP della serie ROHM EMB52 ha un contenitore SOT-563. Ha una tensione di alimentazione di -50 V e una corrente del collettore di uscita di -100 mA.
Montaggio superficiale
Equivalente al DTA044E
Gli elementi del transistor sono indipendenti, eliminando l'interfaccia
Il costo e l'area di montaggio possono essere dimezzati
Temperatura di stoccaggio compresa tra -55 °C e 150 °C
Dissipazione di potenza di 0,15 W
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