Transistor bipolare RF NPN Infineon, TSLP-3-9, 35 mA, 2,25 V, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 258-0650
- Codice costruttore:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
14980 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,432 €
(IVA esclusa)
0,527 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,432 € | 4,32 € |
| 100 - 240 | 0,409 € | 4,09 € |
| 250 - 490 | 0,393 € | 3,93 € |
| 500 - 990 | 0,376 € | 3,76 € |
| 1000 + | 0,349 € | 3,49 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0650
- Codice costruttore:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il transistor bipolare RF NPN SiGe C Infineon è un transistor bipolare a eterojunzione RF discreto con una protezione ESD integrata adatta per le applicazioni in banda da 5 GHz.
Ideale per applicazioni a bassa tensione, ad esempio VCC = 1,2 V e 1,8 V
Contenitore senza piombo a profilo basso e fattore di forma ridotto
Contenitore senza piombo a profilo basso e fattore di forma ridotto
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo transistor | NPN |
| Corrente c.c. massima collettore | 35 mA |
| Tensione massima collettore emitter | 2,25 V |
| Tipo di package | TSLP-3-9 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
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