Transistor bipolare Infineon, 3 Pin NPN, SOT-23, 35 mA, 20 V, Superficie

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6000 - 120000,108 €324,00 €
15000 +0,104 €312,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-6993
Codice costruttore:
BFR182E6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare

Corrente CC massima collettore Idc

35mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

20V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

NPN

Tensione massima base del collettore VCBO

20V

Frequenza transizione massima ft

8GHz

Polarità transistor

NPN

Dissipazione di potenza massima Pd

250mW

Guadagno minimo di corrente CC hFE

70

Tensione massima base emettitore VBEO

2V

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

3

Altezza

1mm

Serie

BFR182

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor RF al silicio NPN di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno, a correnti di collettore comprese tra 1 mA e 20 mA. Questo transistor è utilizzato per applicazioni di amplificatori e oscillatori nei front-end RF e nelle comunicazioni wireless.

Contenitore conforme a RoHS senza piombo

VCEO max è 12 V

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