Transistor bipolare Infineon, 3 Pin NPN, SOT-23, 35 mA, 20 V, Superficie
- Codice RS:
- 258-6993
- Codice costruttore:
- BFR182E6327HTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,114 € | 342,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,108 € | 324,00 € |
| 15000 + | 0,104 € | 312,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-6993
- Codice costruttore:
- BFR182E6327HTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 35mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | NPN | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Frequenza transizione massima ft | 8GHz | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 70 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 1mm | |
| Serie | BFR182 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare | ||
Corrente CC massima collettore Idc 35mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor NPN | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Frequenza transizione massima ft 8GHz | ||
Polarità transistor NPN | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 70 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 2V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 1mm | ||
Serie BFR182 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor RF al silicio NPN di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno, a correnti di collettore comprese tra 1 mA e 20 mA. Questo transistor è utilizzato per applicazioni di amplificatori e oscillatori nei front-end RF e nelle comunicazioni wireless.
Contenitore conforme a RoHS senza piombo
VCEO max è 12 V
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