Transistor bipolare NPN Infineon, SOT-23, 35 mA, 20 V, Montaggio superficiale

Il transistor RF al silicio NPN di Infineon è progettato per amplificatori a banda larga a basso rumore e alto guadagno, a correnti di collettore comprese tra 1 mA e 20 mA. Questo transistor è utilizzato per applicazioni di amplificatori e oscillatori nei front-end RF e nelle comunicazioni wireless.

Contenitore privo di Pb conforme alla direttiva RoHS
VCEO max 12 V