Transistor bipolare RF Infineon BFP740ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 45 mA, 4.2 V, Superficie

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Codice RS:
273-7299
Codice costruttore:
BFP740ESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

45mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

4.2V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Transistor bipolare a eterogiunzione Npn Rf (Hbt)

Tensione massima base del collettore VCBO

4.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Frequenza transizione massima ft

45GHz

Tensione massima base emettitore VBEO

0.5V

Guadagno minimo di corrente CC hFE

160

Polarità transistor

NPN

Dissipazione di potenza massima Pd

160mW

Numero pin

4

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

BFP740ESD

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Standard automobilistico

No

Il transistor RF bipolare NPN di Infineon è un transistor bipolare a eterogiunzione RF NPN a banda larga con protezione ESD integrata. È adatto ad applicazioni multimediali come TV portatile, CATV e radio FM e ad applicazioni ISM come RKE, AMR e ZigBee, oltre che ad applicazioni wireless emergenti.

Guadagno elevato

Robustezza

Prestazioni RF di fascia alta

Adatto per le comunicazioni wireless

Adatto per sistemi di comunicazione satellitare

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