Transistor bipolare RF Infineon BFP740ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 45 mA, 4.2 V, Superficie

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Codice RS:
273-7299
Codice costruttore:
BFP740ESDH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor bipolare RF

Corrente CC massima collettore Idc

45mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

4.2V

Tipo di package

SOT-343

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Transistor bipolare a eterogiunzione Npn Rf (Hbt)

Tensione massima base del collettore VCBO

4.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

160mW

Frequenza transizione massima ft

45GHz

Guadagno minimo di corrente CC hFE

160

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima base emettitore VBEO

0.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero pin

4

Serie

BFP740ESD

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Standard automobilistico

No

Il transistor RF bipolare NPN di Infineon è un transistor bipolare a eterogiunzione RF NPN a banda larga con protezione ESD integrata. È adatto ad applicazioni multimediali come TV portatile, CATV e radio FM e ad applicazioni ISM come RKE, AMR e ZigBee, oltre che ad applicazioni wireless emergenti.

Guadagno elevato

Massima robustezza

Prestazioni RF di alto livello

Adatto per le comunicazioni wireless

Adatto per sistemi di comunicazione satellitare

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