Transistor Infineon BC847CE6327HTSA1, 3 Pin NPN, SOT-23, 100 mA, 45 V, Superficie

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Codice RS:
445-2023
Codice costruttore:
BC847CE6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor

Corrente CC massima collettore Idc

100mA

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

45V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore VCBO

50V

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima base emettitore VBEO

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

330mW

Numero pin

3

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC Qualified

Lunghezza

1mm

Altezza

1.3mm

Serie

BC847

Larghezza

2.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Transistor Infineon, 100 mA di corrente massima di collettore CC, 45 V di tensione massima dell'emettitore del collettore - BC847CE6327HTSA1


Questo transistor è di tipo NPN compatto, adatto a numerose applicazioni in elettronica. Misura 1 x 2,9 x 1,3 mm e presenta un design a montaggio superficiale in un contenitore SOT-23, che lo rende ideale per gli ambienti con limiti di spazio. Questo transistor ad alta frequenza può funzionare in modo efficiente con una corrente di collettore CC massima di 100 mA e una tensione collettore-emettitore di 45 V, rendendolo un componente versatile in molti circuiti elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• L'elevato guadagno di corrente garantisce un'efficiente amplificazione del segnale

• La bassa tensione di saturazione collettore-emettitore migliora l'efficienza di potenza

• Progettato per una configurazione singola per un'integrazione semplice

• Robusta temperatura massima di esercizio di +150°C per una maggiore durata

Applicazioni


• Ideale per gli stadi di ingresso a frequenza audio nei circuiti

• Adatto al driver di vari dispositivi elettronici

• Utilizzati nei sistemi di automazione per prestazioni affidabili

• Facilita l'integrazione dei componenti elettronici in dispositivi compatti

• Efficace per l'amplificazione a basso rumore tra 30Hz e 15kHz

Quali sono le caratteristiche elettriche che influiscono sulle prestazioni?


Il transistor presenta una tensione di breakdown collettore-emettitore di 45 V e una tensione collettore-base di 50 V, che ne definiscono i limiti operativi. La potenza massima dissipata è di 330mW, per garantire un'efficace gestione del calore durante il funzionamento.

In che modo la frequenza operativa massima influenza le sue applicazioni?


Con una frequenza operativa massima di 250 MHz, consente la commutazione ad alta velocità in applicazioni quali l'amplificazione RF e l'elaborazione dei segnali, rendendola adatta ai moderni sistemi di comunicazione elettronica.

Che tipo di configurazioni di montaggio sono supportate?


È stato progettato specificamente per le applicazioni a montaggio superficiale e si adatta facilmente ai circuiti stampati senza richiedere la foratura di fori passanti, semplificando così il processo di assemblaggio nei progetti elettronici compatti.

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