Transistor Nexperia PBSS5320T,215, 3 Pin PnP, SOT-23, -2 A, -20 V, Superficie
- Codice RS:
- 518-1924
- Codice costruttore:
- PBSS5320T,215
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 518-1924
- Codice costruttore:
- PBSS5320T,215
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -2A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 100 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2W | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Serie | PBSS5320T | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 2.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -2A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 20V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 100 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2W | ||
Polarità transistor PnP | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Serie PBSS5320T | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 2.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Transistor PNP a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.