Transistor Nexperia, 4 Pin PnP, SOT-223, -5 A, -40 V, Superficie
- Codice RS:
- 518-2034P
- Codice costruttore:
- PBSS5540Z,115
- Costruttore:
- Nexperia
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|---|---|
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- Codice RS:
- 518-2034P
- Codice costruttore:
- PBSS5540Z,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -5A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -40V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 40V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Frequenza transizione massima ft | 120MHz | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 50 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 7.3mm | |
| Serie | PBSS5540Z | |
| Altezza | 1.65mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -5A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -40V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 40V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Frequenza transizione massima ft 120MHz | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 50 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Polarità transistor PnP | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 7.3mm | ||
Serie PBSS5540Z | ||
Altezza 1.65mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Transistor PNP a bassa tensione di saturazione
Una gamma di transistor a giunzione bipolare PNP a bassa tensione di saturazione BISS (Breakthrough In Small Signal) NXP. Questi dispositivi sono caratterizzati da tensioni di saturazione collettore-emettitore molto basse e capacità di corrente collettore elevate in contenitori compatti salvaspazio. Le perdite ridotte di questi transistor si traducono in una minore generazione di calore e un aumento complessivo dell'efficienza quando utilizzati in applicazioni digitali e di commutazione.