Transistor onsemi, 3 Pin NPN, TO-92, 1.5 A, 25 V, Foro passante
- Codice RS:
- 739-0335P
- Codice costruttore:
- SS8050DTA
- Costruttore:
- onsemi
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 739-0335P
- Codice costruttore:
- SS8050DTA
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 1.5A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 25V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 40V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 40 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 21.77mm | |
| Lunghezza | 5.2mm | |
| Larghezza | 4.19mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 1.5A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 25V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 40V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 40 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Polarità transistor NPN | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 21.77mm | ||
Lunghezza 5.2mm | ||
Larghezza 4.19mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor NPN a piccolo segnale, fino a 30 V, Fairchild Semiconductor
Transistor bipolari, Fairchild Semiconductor
L'ampia gamma di transistor a giunzione bipolare (BJT) fornisce soluzioni complete per varie esigenze di applicazione dei circuiti. Gli contenitori innovativi sono progettati per dimensioni minime, la massima affidabilità e le massime prestazioni termiche.