Transistor onsemi BC557BTA, 3 Pin PnP, TO-92, -100 mA, -45 V, Foro passante
- Codice RS:
- 761-3505
- Codice costruttore:
- BC557BTA
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 761-3505
- Codice costruttore:
- BC557BTA
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -100mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -45V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Configurazione transistor | Transistor al silicio | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -50V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 110 | |
| Frequenza transizione massima ft | 10MHz | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 18.03mm | |
| Lunghezza | 5.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | BC557B | |
| Larghezza | 4.19mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -100mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -45V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Configurazione transistor Transistor al silicio | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -50V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 110 | ||
Frequenza transizione massima ft 10MHz | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 18.03mm | ||
Lunghezza 5.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie BC557B | ||
Larghezza 4.19mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
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L'ampia gamma di transistor a giunzione bipolare (BJT) fornisce soluzioni complete per varie esigenze di applicazione dei circuiti. Gli contenitori innovativi sono progettati per dimensioni minime, la massima affidabilità e le massime prestazioni termiche.
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