Transistor onsemi MJD253T4G, 3 Pin PnP, TO-252, -4 A, -100 V, Superficie
- Codice RS:
- 790-5337
- Codice costruttore:
- MJD253T4G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
3,71 €
(IVA esclusa)
4,53 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- Più 100 unità in spedizione dal 01 giugno 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,371 € | 3,71 € |
| 100 - 240 | 0,319 € | 3,19 € |
| 250 - 490 | 0,277 € | 2,77 € |
| 500 - 990 | 0,244 € | 2,44 € |
| 1000 + | 0,222 € | 2,22 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 790-5337
- Codice costruttore:
- MJD253T4G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -4A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 100V cc | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 12.5W | |
| Frequenza transizione massima ft | 10MHz | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 40 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 7V | |
| Numero pin | 3 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | MJD253 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.63mm | |
| Lunghezza | 0.27mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -4A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 100V cc | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 12.5W | ||
Frequenza transizione massima ft 10MHz | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 40 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 7V | ||
Numero pin 3 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie MJD253 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.63mm | ||
Lunghezza 0.27mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor di potenza PNP, ON Semiconductor
Standards
Link consigliati
- Transistor onsemi TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor bipolare onsemi TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi MJD42CRLG TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi NJVMJD32CT4G TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi MJD42CT4G TO-252 -100 V, Superficie
- Transistor onsemi MJD32CT4G TO-252 100 V, Superficie
