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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo transistor	NPN
	Corrente c.c. massima collettore	3 A
	Tensione massima collettore emitter	100 V
	Tipo di package	IPAK (TO-251)
	Tipo di montaggio	Su foro
	Dissipazione di potenza massima	15 W
	Guadagno minimo corrente c.c.	10
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima base del collettore	100 V cc
	Tensione massima base emitter	5 V
	Frequenza operativa massima	1 MHz
	Numero pin	3
	Numero di elementi per chip	1
	Massima temperatura operativa	+150 °C
	Dimensioni	6.73 x 2.38 x 6.22mm

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	Marchio onsemi
	Tipo transistor NPN
	Corrente c.c. massima collettore 3 A
	Tensione massima collettore emitter 100 V
	Tipo di package IPAK (TO-251)
	Tipo di montaggio Su foro
	Dissipazione di potenza massima 15 W
	Guadagno minimo corrente c.c. 10
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima base del collettore 100 V cc
	Tensione massima base emitter 5 V
	Frequenza operativa massima 1 MHz
	Numero pin 3
	Numero di elementi per chip 1
	Massima temperatura operativa +150 °C
	Dimensioni 6.73 x 2.38 x 6.22mm

L'on Semiconductor MJD31 è un transistor di potenza complementare. Questo transistor è progettato per amplificatori per impieghi generali e applicazioni di commutazione a bassa velocità. Il tipo di contenitore del transistor è IPAK.

Realizzati in piombo per applicazioni a montaggio superficiale in manicotti in plastica
Questi dispositivi sono privi di piombo e conformi alla direttiva RoHS

Transistor NPN onsemi, 3 Pin, IPAK (TO-251), 3 A, 100 V, , Montaggio su foro