Transistor bipolare RF Infineon BFP640ESDH6327XTSA1, 4 Pin NPN, SOT-343, 50 mA, 13 V, Superficie
- Codice RS:
- 827-5154
- Codice costruttore:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Non disponibile
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- Codice RS:
- 827-5154
- Codice costruttore:
- BFP640ESDH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor bipolare RF | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 50mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 13V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200mW | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 110 | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Frequenza transizione massima ft | 70GHz | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free (RoHS) | |
| Serie | BFP640 | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor bipolare RF | ||
Corrente CC massima collettore Idc 50mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 13V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200mW | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 110 | ||
Polarità transistor NPN | ||
Frequenza transizione massima ft 70GHz | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free (RoHS) | ||
Serie BFP640 | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor bipolari RF SiGe, Infineon
Una gamma di transistor bipolari NPN Infineon, a banda larga e a bassissima rumorosità. Questi dispositivi bipolari a eterogiunzione utilizzano la tecnologia Infineon con silicio germanio al carbonio (SiGe:C) e sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni mobili per cui un basso consumo energetico è un requisito fondamentale. Con frequenze di transizione tipiche fino a 65 GHz, questi dispositivi offrono un elevato guadagno di potenza fino a frequenze massime di 10 GHz quando vengono utilizzati in amplificatori. I transistor includono Circuiti interni per ESD e protezione da eccessiva potenza in ingresso.