Transistor di potenza ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistor di potenza NPN bipolari progettati per l'uso in configurazioni ESBC™ (bipolare commutato con emettitore/MOSFET Cascode) insieme a opportuni dispositivi MOSFET di potenza. Questa configurazione dell'interruttore di alimentazione garantisce una maggiore efficienza, flessibilità e robustezza, inoltre, la potenza di azionamento è ridotta al minimo grazie all'assenza della capacità di Miller in fase di progettazione.
Transistor bipolari, Fairchild Semiconductor
Lampia gamma di transistor a giunzione bipolari (BJT) offre soluzioni complete per esigenze di applicazione nei circuiti. Gli innovativi contenitori sono progettati per essere di dimensioni minime, offrire la massima affidabilità e le migliori prestazioni termiche.