Transistor bipolare RF NPN Infineon, 4 Pin, SOT-343, 25 mA, 13 V, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
897-7282P
Codice costruttore:
BFP720H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo transistor

NPN

Corrente c.c. massima collettore

25 mA

Tensione massima collettore emitter

13 V

Tipo di package

SOT-343

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Dissipazione di potenza massima

100 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima base del collettore

13 V

Tensione massima base emitter

1,2 V

Numero pin

4

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Dimensioni

2 x 1.25 x 0.9mm

Transistor bipolari RF SiGe, Infineon


Una gamma di transistor bipolari NPN Infineon, a banda larga e a bassissima rumorosità. Questi dispositivi bipolari a eterogiunzione utilizzano la tecnologia Infineon con silicio germanio al carbonio (SiGe:C) e sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni mobili per cui un basso consumo energetico è un requisito fondamentale. Con frequenze di transizione tipiche fino a 65 GHz, questi dispositivi offrono un elevato guadagno di potenza fino a frequenze massime di 10 GHz quando vengono utilizzati in amplificatori. I transistor includono Circuiti interni per ESD e protezione da eccessiva potenza in ingresso.


Transistor bipolare, Infineon

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