Transistor Infineon, 4 Pin NPN, SOT-343, 25 mA, 13 V, Superficie
- Codice RS:
- 897-7282P
- Codice costruttore:
- BFP720H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 15 unità (fornito in una striscia continua)*
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 15 + | 0,185 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 897-7282P
- Codice costruttore:
- BFP720H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | 25mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 13V | |
| Tipo di package | SOT-343 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | 13V | |
| Polarità transistor | NPN | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 160 | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100mW | |
| Frequenza transizione massima ft | 45GHz | |
| Numero pin | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | BFP720 | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Larghezza | 2.1 mm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc 25mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 13V | ||
Tipo di package SOT-343 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima base del collettore VCBO 13V | ||
Polarità transistor NPN | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 160 | ||
Tensione massima base emettitore VBEO 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100mW | ||
Frequenza transizione massima ft 45GHz | ||
Numero pin 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie BFP720 | ||
Altezza 0.9mm | ||
Larghezza 2.1 mm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor RF bipolari SiGe, Infineon
Una gamma di transistor RF bipolari NPN a banda larga a bassissima rumorosità di Infineon. Questi dispositivi bipolari a giunzione etero utilizzano la tecnologia del materiale in carbonio germanico al silicio (SiGe:C) di Infineon e sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni mobili in cui il basso consumo energetico è un requisito fondamentale. Con frequenze di transizione tipiche fino a 65 GHz, questi dispositivi offrono un elevato guadagno di potenza a frequenze fino a 10 GHz quando utilizzati in applicazioni di amplificatori. I transistor includono circuiti interni per ESD e protezione di potenza di ingresso RF eccessiva.