Transistor onsemi NST65010MW6T1G, 6 Pin PnP, US, -100 mA, -65 V, Superficie
- Codice RS:
- 920-9887
- Codice costruttore:
- NST65010MW6T1G
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 920-9887
- Codice costruttore:
- NST65010MW6T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Corrente CC massima collettore Idc | -100mA | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | -65V | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Tensione massima base del collettore VCBO | -80V | |
| Tensione massima base emettitore VBEO | -5V | |
| Guadagno minimo di corrente CC hFE | 0.9 | |
| Polarità transistor | PnP | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 380mW | |
| Frequenza transizione massima ft | 100MHz | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero pin | 6 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Corrente CC massima collettore Idc -100mA | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo -65V | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Tensione massima base del collettore VCBO -80V | ||
Tensione massima base emettitore VBEO -5V | ||
Guadagno minimo di corrente CC hFE 0.9 | ||
Polarità transistor PnP | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 380mW | ||
Frequenza transizione massima ft 100MHz | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero pin 6 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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