MOSFET Infineon, canale N, 12 mΩ, 86 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 760-4340
- Codice costruttore:
- AUIRL3705ZS
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 unità*
2,90 €
(IVA esclusa)
3,54 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 2,90 € |
| 5 - 9 | 2,75 € |
| 10 - 24 | 2,60 € |
| 25 - 49 | 2,46 € |
| 50 + | 2,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 760-4340
- Codice costruttore:
- AUIRL3705ZS
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 86 A | |
| Tensione massima drain source | 55 V | |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 12 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2V | |
| Tensione di soglia gate minima | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima | 130 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -16 V, +16 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 40 nC a 5 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 86 A | ||
Tensione massima drain source 55 V | ||
Tipo di package D2PAK (TO-263) | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 12 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2V | ||
Tensione di soglia gate minima 1V | ||
Dissipazione di potenza massima 130 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -16 V, +16 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 40 nC a 5 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie HEXFET | ||