Il raddrizzatore a ponte è un semiconduttori discreto in quanto ha un singolo dispositivo semiconduttore, cioè un diodo, ed è l'opposto di un semiconduttore a circuito integrato che ha vari dispositivi su un singolo pezzo di semiconduttore.
Il catalogo RS online offre un'ampia gamma di ponte raddrizzatore a diodi, di marchi leader come ON Semiconductor, Vishay, IXYS e Semikron.
Il circuito raddrizzatore è stato inventato nel 1895 e Leo Graetz progettò un circuito simile, noto anche come raddrizzatore a ponte di Graetz o semplicemente ponte di Graetz.
Un ponte diodi raddrizzatore è costituito da 4 o più diodi disposti in una configurazione specifica: il ponte Graetz.
Questo ponte di diodi è in grado di convertire un ingresso di corrente alternata (CA) in corrente continua (CC), una funzione di base per la maggior parte dei dispositivi elettronici.
Inoltre, il ponte raddrizzatore fornisce la stessa polarità di uscita per entrambe le polarità di ingresso.
Questi dispositivi funzionano con un ingresso CA a due fili, hanno due cadute di diodo nel loro design e offrono una rettifica a onda completa.
Il raddrizzatore è comunemente usato in alimentatori che forniscono la tensione CC necessaria per i componenti elettronici o i dispositivi.
Viene impiegato in varie applicazioni, ad esempio negli elettrodomestici
Inoltre, il ponte diodi è molto comune agli appassionati di elettronica che amano costruire circuiti.
I ponte a diodi sono solitamente classificati in raddrizzatori monofase e raddrizzatori trifase e quindi si dividono nuovamente in non controllati, raddrizzatori a controllo parziale o controllo completo.
Sono disponibili in vari contenitori e tipi di montaggio, tra cui il montaggio a vite, montaggio superficiale e foro passante.
Nel catalogo RS online si possono trovare svariati modelli di raddrizzatori a ponte, inclusi:
Dettagli Prodotto Prezzo per: | Marchio | Ponte | Corrente di forward media di picco | Picco della tensione ripetitiva inversa | Picco della tensione RMS inversa | Tipo di montaggio | Tensione di forward di picco | Tipo di package | Corrente inversa di picco | Numero pin | Diodo | Tecnologia del diodo | Configurazione | Corrente di picco su surge non ripetitiva | Massima temperatura operativa | Minima temperatura operativa | Dimensioni | Lunghezza |
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Taiwan Semiconductor | Monofase | 50A | 1000V | - | Montaggio a vite | 1.1V | GBPC | 10µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 400A | +150 °C | -50 °C | 29 x 29 x 7.87mm | 29mm | ||
Taiwan Semiconductor | Monofase | 50A | 1000V | - | Montaggio a vite | 1.1V | GBPC | 10µA | 4 | - | - | Single | 400A | +150 °C | -50 °C | 29 x 29 x 7.87mm | 29mm | ||
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, Vishay, Ifwd 1.5A, VRRM 400V, WOG, Su foro, 4 Pin Codice RS: 629-5153 Codice costruttore: W04G-E4/51 Schede tecniche: € 0,724 1pz in confezione da 5 | Vishay | Monofase | 1.5A | 400V | - | Su foro | 1V | WOG | 5µA | 4 | - | - | Single | 50A | +150 °C | -55 °C | 9.86 x 8.84 x 5.6mm | 9.86mm | |
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, Vishay, Ifwd 1.5A, VRRM 400V, WOG, Su foro, 4 Pin Codice RS: 165-4893 Codice costruttore: W04G-E4/51 Schede tecniche: € 0,281 Unità (Su Bobina da 3000) | Vishay | Monofase | 1.5A | 400V | - | Su foro | 1V | WOG | 5µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 50A | +150 °C | -55 °C | 9.86 (Dia.) x 5.6mm | - | |
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, Vishay, Ifwd 1.5A, VRRM 400V, WOG, Su foro, 4 Pin Codice RS: 865-1889 Codice costruttore: W04G-E4/51 Schede tecniche: € 0,488 Each (In a Bag of 100) | Vishay | Monofase | 1.5A | 400V | - | Su foro | 1V | WOG | 5µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 50A | +150 °C | -55 °C | 9.86 (Dia.) x 5.6mm | - | |
Vishay | Monofase | 8A | 1000V | - | Su foro | 1V | KBU | 10µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 300A | +150 °C | -50 °C | 23.7 x 7.1 x 19.3mm | 23.7mm | ||
Vishay | Monofase | 8A | 1000V | - | Su foro | 1V | KBU | 10µA | 4 | - | - | Single | 300A | +150 °C | -50 °C | 23.7 x 7.1 x 19.3mm | 23.7mm | ||
Semikron | Monofase | 15A | 1200V | - | Montaggio a pannello | 1.8V | G 35 | 5mA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 500A | +150 °C | -40 °C | 55 x 45 x 24mm | 55mm | ||
Vishay | Monofase | 35A | 1200V | - | Montaggio a vite | 1.14V | D 34 | 10µA | 4 | - | - | Single | 500A | +150 °C | -55 °C | 28.5 x 28.5 x 9.8mm | 28.5mm | ||
Vishay | Monofase | 35A | 1200V | - | Montaggio a vite | 1.14V | D 34 | 10µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 500A | +150 °C | -55 °C | 28.5 x 28.5 x 9.8mm | 28.5mm | ||
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, Taiwan Semiconductor, Ifwd 10A, VRRM 600V, KBU, Su foro, 4 Pin Codice RS: 687-5872 Codice costruttore: KBU1005G T0 Schede tecniche: € 3,756 1pz in confezione da 5 | Taiwan Semiconductor | Monofase | 10A | 600V | - | Su foro | 1.1V | KBU | 5µA | 4 | - | - | Single | 200A | +150 °C | -55 °C | 23.7 x 7.1 x 19.3mm | 23.7mm | |
Taiwan Semiconductor | Monofase | 10A | 600V | - | Su foro | 1.1V | KBU | 5µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 200A | +150 °C | -55 °C | 23.7 x 7.1 x 19.3mm | 23.7mm | ||
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, HY Electronic Corp, Ifwd 35A, VRRM 1000V, KBPC, Su foro, 4 Pin Codice RS: 171-1433 Codice costruttore: KBPC3510 Schede tecniche: € 2,346 Each (In a Box of 50) | HY Electronic Corp | Monofase | 35A | 1000V | - | Su foro | 1.1V | KBPC | 10µA | 4 | Giunzione al silicio | Giunzione al silicio | Single | 400A | +150 °C | -55 °C | 28.8 x 28.8 x 11.23mm | 28.8mm | |
![]() Raddrizzatore a ponte, Monofase, HY Electronic Corp, Ifwd 35A, VRRM 1000V, KBPC, Su foro, 4 Pin Codice RS: 917-9010 Codice costruttore: KBPC3510 Schede tecniche: € 2,65 1pz in confezione da 10 | HY Electronic Corp | Monofase | 35A | 1000V | - | Su foro | 1.1V | KBPC | 10µA | 4 | Giunzione al silicio | Giunzione al silicio | Single | 400A | +150 °C | -55 °C | 28.8 x 28.8 x 11.23mm | 28.8mm | |
€ 4,075 1pz in confezione da 2 | Taiwan Semiconductor | Monofase | 25A | 800V | - | Su foro | 1.1V | GBPC-W | 5µA | 4 | - | - | Single | 300A | +150 °C | -50 °C | 29 x 29 x 11.23mm | 29mm | |
Taiwan Semiconductor | Monofase | 25A | 800V | - | Su foro | 1.1V | GBPC-W | 5µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 300A | +150 °C | -50 °C | 29 x 29 x 11.23mm | 29mm | ||
IXYS | Trifase | 88A | 1600V | - | Montaggio a pannello | 1.6V | PWS D | 300µA | 5 | - | Giunzione al silicio | Single | 820A | +150 °C | -40 °C | 72 x 42 x 30mm | 72mm | ||
€ 38,208 Each (In a Box of 10) | IXYS | Trifase | 88A | 1600V | - | Montaggio a pannello | 1.6V | PWS D | 300µA | 5 | - | Giunzione al silicio | Single | 820A | +150 °C | -40 °C | 72 x 42 x 30mm | 72mm | |
Vishay | Monofase | 25A | 400V | - | Montaggio a vite | 1.11V | D 34 | 10µA | 4 | - | Giunzione al silicio | Single | 420A | +150 °C | -55 °C | 28.5 x 28.5 x 9.8mm | 28.5mm | ||
Vishay | Monofase | 25A | 400V | - | Montaggio a vite | 1.11V | D 34 | 10µA | 4 | - | - | Single | 420A | +150 °C | -55 °C | 28.5 x 28.5 x 9.8mm | 28.5mm | ||