Diodo onsemi FFSH50120A, Foro passante, 77 A, 1200 V, TO-247, Diodo Schottky, 2 Pin
- Codice RS:
- 178-4413
- Codice costruttore:
- FFSH50120A
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 178-4413
- Codice costruttore:
- FFSH50120A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo prodotto | Diodo | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Corrente massima continua in avanti If | 77A | |
| Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 1200V | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo di raddrizzatore | Diodo Schottky | |
| Numero pin | 2 | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.75V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 1.7kA | |
| Corrente inversa di picco Ir | 400μA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.82 mm | |
| Diametro | 6.85 mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo prodotto Diodo | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Corrente massima continua in avanti If 77A | ||
Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm 1200V | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo di raddrizzatore Diodo Schottky | ||
Numero pin 2 | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.75V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 1.7kA | ||
Corrente inversa di picco Ir 400μA | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.82 mm | ||
Diametro 6.85 mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D1, diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) (TO-247-2L) - EliteSiC, 50 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.
Max. temperatura di giunzione 175 °C
Max. temperatura di giunzione 175 °C
Coefficiente di temperatura positivo
Facilità di collegamento in parallelo
Nessun recupero inverso/nessun recupero diretto
Applicazioni
PFC
Potenza industriale
Solare
Caricabatterie EV
UPS
Saldatura
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