Diodo STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 10A, 650V, PowerFLAT

Il diodo SiC STMicroelectronics è un diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate, realizzato utilizzando un substrato di carburo di silicio. È dotato di un'ampia gamma di materiale band gap che consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 650 V. Non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura, grazie alla struttura schottky.

Contenitore con altezza inferiore a 1 mm
Pacchetto ad alta velocità di scorrimento
Nessun recupero inverso o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di picco diretto
Tensione diretta a caduta molto bassa
Prodotto ad alta efficienza energetica
Componente conforme a ECOPACK2