Diodo raddrizzatore e Schottky Infineon, Montaggio superficiale, 4A, 650V, PG-VSON-4

I diodi Schottky CoolSiC Infineon di generazione 5 da 600 V, 2 A in un contenitore DPAK a 2 pin rappresentano la nostra tecnologia all'avanguardia per i diodi a barriera Schottky SiC. Il processo di saldatura a diffusione proprietario di Infineon, già introdotto con G3, è ora combinato con un nuovo design più compatto e la tecnologia a wafer sottile. Il risultato è una nuova famiglia di prodotti che mostra una maggiore efficienza in tutte le condizioni di carico, derivante sia dalle migliori caratteristiche termiche che da una cifra di merito inferiore.

Nessuna carica di recupero inverso
Forma d'onda di recupero inverso a commutazione morbida
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Prestazioni di commutazione estremamente stabili
Requisiti di raffreddamento ridotti
Riduzione dei rischi di fuga termica