Diodo raddrizzatore e Schottky Infineon, Su foro, 16A, 650V, PG-TO247-3

Infineon ThinQ di generazione 5 rappresenta la tecnologia all'avanguardia per i diodi a barriera Schottky SiC. Grazie al design più compatto e alla tecnologia a wafer sottile, la nuova famiglia di prodotti mostra una maggiore efficienza in tutte le condizioni di carico, risultante sia dalle migliori caratteristiche termiche che da una cifra di merito inferiore. La nuova generazione 5 thinQ è stata progettata per integrare le nostre famiglie CoolMOS da 650 V, garantendo così la conformità ai requisiti più severi delle applicazioni in questa gamma di tensioni.

Comportamento di commutazione di riferimento
Nessun recupero inverso/Nessun recupero avanti
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di corrente di picco
Placcatura del cavo senza piombo