Diodo onsemi, Su foro, 3A, 40V, DO-201AD, Raddrizzatore Schottky
- Codice RS:
- 774-3353
- Codice costruttore:
- 1N5822G
- Costruttore:
- onsemi
30 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)
20 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,454 €
(IVA esclusa)
0,554 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 10 - 90 | 0,454 € | 4,54 € |
| 100 - 490 | 0,316 € | 3,16 € |
| 500 - 990 | 0,245 € | 2,45 € |
| 1000 - 2490 | 0,184 € | 1,84 € |
| 2500 + | 0,18 € | 1,80 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 774-3353
- Codice costruttore:
- 1N5822G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
On Semiconductor Diodi barriera
Questo raddrizzatore on Semiconductor Schottky utilizza il principio di barriera Schottky utilizzando un metallo di barriera per creare il miglior scambio di corrente di caduta di tensione in avanti-retromarcia. Adatto per la rettifica a bassa tensione, alta frequenza e un diodo di protezione a ruota libera e polarità in una gamma di applicazioni per montaggio superficiale, ovunque siano fondamentali dimensioni e peso più compatti.
• Senza Pb-Free
• Progettato per l'assemblaggio ottimale di schede automatizzate
• Protezione da stress
• Custodia in materiale epossidico
• Confezione leggera da 11,7mg
• Progettato per l'assemblaggio ottimale di schede automatizzate
• Protezione da stress
• Custodia in materiale epossidico
• Confezione leggera da 11,7mg
Standard
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV, SBR o S sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Tipo di package | DO-201AD |
| Corrente massima continuativa di forward | 3A |
| Picco della tensione ripetitiva inversa | 40V |
| Configurazione diodi | Singolo |
| Rettificatore | Raddrizzatore Schottky |
| Diodo | Schottky |
| Numero pin | 2 |
| Caduta di tensione diretta massima | 950mV |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Tecnologia del diodo | Barriera Schottky |
| Diametro | 5.3mm |
| Corrente di picco su surge non ripetitiva | 80A |
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