Codice costruttore

Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 200 mA 120 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin

Codice RS:: 166-3065
Codice costruttore:: BAS19
Costruttore:: Nexperia

Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 200 mA 120 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 - 3000	0,023 €	69,00 €
6000 +	0,022 €	66,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-3065
Codice costruttore:: BAS19
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Configurazione diodi	Singolo
	Tipo prodotto	Giunzione di silicio
	Corrente massima diretta If	200mA
	Sottotipo	Giunzione al silicio
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di package	SOT-23
	Numero pin	3
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Tempo di recupero inverso di picco trr	4ns
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm	2.5A
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm	120V
	Tensione massima indiretta Vf	1.25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3mm
	Altezza	1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Serie	BAS19
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Configurazione diodi Singolo
	Tipo prodotto Giunzione di silicio
	Corrente massima diretta If 200mA
	Sottotipo Giunzione al silicio
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di package SOT-23
	Numero pin 3
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Tempo di recupero inverso di picco trr 4ns
	Minima temperatura operativa -65°C
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 2.5A
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 120V
	Tensione massima indiretta Vf 1.25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3mm
	Altezza 1mm
	Standard/Approvazioni No
	Serie BAS19
	Standard automobilistico No

Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia

Caratteristiche

Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità

Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione

Elevate velocità di commutazione

Bassa capacità

Diodi e raddrizzatori

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