Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 200 mA 100 V, SC-88, Serie, 6 Pin
- Codice RS:
- 178-7112
- Codice costruttore:
- BAV99S,115
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,035 € | 105,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-7112
- Codice costruttore:
- BAV99S,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Giunzione di silicio | |
| Configurazione diodi | Serie | |
| Corrente massima diretta If | 200mA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Sottotipo | Giunzione al silicio | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Numero pin | 6 | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 100V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 4ns | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 4A | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | BAV99 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Giunzione di silicio | ||
Configurazione diodi Serie | ||
Corrente massima diretta If 200mA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Sottotipo Giunzione al silicio | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Numero pin 6 | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 100V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 4ns | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 4A | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie BAV99 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Diodi di commutazione ad alta velocità fabbricati in tecnologia planare con una velocità di commutazione massima di 4 ns. Supportano progetti di circuiti personalizzati ad alta densità incapsulati in contenitori a tenuta ermetica.
Diodi di commutazione ad alta velocità, incapsulati in piccoli contenitori in plastica per dispositivi a montaggio superficiale (SMD).
Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 4 ns
Bassa capacità: Cd ≤ 1,5 pF
Bassa corrente di dispersione
Tensione inversa: VR ≤ 100 V
Contenitori di plastica SMD piccoli
Applicazioni target
Commutazione ad alta velocità
Commutazione per impieghi generali
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